IDT7130LA100PFGB8,IDT7130LA100PFGB8 pdf中文资料,IDT7130LA100PFGB8引脚图,IDT7130LA100PFGB8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7130LA100PFGB8: 产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7130LA100PFGB8概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQFP64

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G64
JESD-609代码	e3
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端口数量	2
端子数量	64
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP64,.66SQ,32
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30

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