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JAN2N3749

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, TO-111/I, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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JAN2N3749概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, TO-111/I, 4 PIN

JAN2N3749规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-111
包装说明TO-111/I, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码O-MUPM-D4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值30 W
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1
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