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2N6233

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小395KB,共5页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2N6233概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,

2N6233规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压225 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

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