BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | NO |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
长度 | 19.56 mm |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
标称输出峰值电流 | 1 A |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 20 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 | 40 V |
最小供电电压 | 5 V |
标称供电电压 | 20 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
断开时间 | 0.05 µs |
接通时间 | 0.05 µs |
宽度 | 7.62 mm |
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