电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JAN2N6277

产品描述Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JAN2N6277在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JAN2N6277 - - 点击查看 点击购买

JAN2N6277概述

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin

JAN2N6277规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值250 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
最大关闭时间(toff)1050 ns
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

JAN2N6277相似产品对比

JAN2N6277 JANTXV2N6274 JANTXV2N6277 JANTX2N6274 JANTX2N6277 JAN2N6274
描述 Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 150 V 100 V 150 V 100 V 150 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 250 W 250 W 250 W 250 W 250 W 250 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL MIL MIL MIL MIL MIL
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz
最大关闭时间(toff) 1050 ns 1050 ns 1050 ns 1050 ns 1050 ns 1050 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
端子面层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 222  2083  106  267  2328  5  42  3  6  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved