Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, DIE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Honeywell |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | DIE, |
针数 | 35 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 25 ns |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N35 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 35 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
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