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JAN2N6689

产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N6689概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN

JAN2N6689规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-61
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)8
JEDEC-95代码TO-61
JESD-30 代码O-MUPM-X3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/337
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/537
Devices
2N6674
2N6675
2N6689
2N6690
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CEX
V
EBO
I
B
I
C
2N6674 2N6675
2N6689 2N6690
300
400
450
650
450
650
7.0
5.0
15
2N6674 2N6689
2N6675 2N6690
6.0
(2)
3.0
(3)
175
175
-65 to +200
Max.
1.0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
2N6674, 2N6675
TO-3 (TO-204AA)*
@ T
A
= +25
0
C
@ T
C
= +25
0
C
(1)
Operating & Storage Temperature Range
Total Power Dissipation
P
T
T
op;
T
stg
Symbol
R
θ
JC
W
W
0
C
Unit
C/W
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 1.0 W/
0
C for T
C
> 25
0
C
2) Derate linearly 34.2 mW/
0
C for T
A
> 25
0
C
3)
Derate linearly 17.1 mW/
0
C for T
A
> 25
0
C
0
2N6689, 2N6690
TO-61*
* See Appendix A for Package
Outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 200 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 450 Vdc, V
BE
= -1.5 Vdc
V
CE
= 650 Vdc, V
BE
= -1.5 Vdc
2N6674, 2N6689
2N6675, 2N6690
2N6674, 2N6689
2N6675, 2N6690
V
(BR)
CEO
300
400
0.1
0.1
Vdc
I
CEX
mAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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JAN2N6689相似产品对比

JAN2N6689 JAN2N6690 AXUV20ELCS JAN2N6675
描述 Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin, TO-61, 3 PIN Ceramic socket for devices to eliminate soldering to leads Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
零件包装代码 TO-61 TO-61 - TO-204AA
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 - TO-3, 2 PIN
针数 3 3 - 2
Reach Compliance Code compli compli - unknown
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A - 15 A
集电极-发射极最大电压 300 V 400 V - 400 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 8 8 - 8
JEDEC-95代码 TO-61 TO-61 - TO-3
JESD-30 代码 O-MUPM-X3 O-MUPM-X3 - O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 - e0
元件数量 1 1 - 1
端子数量 3 3 - 2
封装主体材料 METAL METAL - METAL
封装形状 ROUND ROUND - ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN - NPN
认证状态 Qualified Qualified - Not Qualified
参考标准 MIL-19500/337 MIL-19500/337 - MIL-19500/337
表面贴装 NO NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON

 
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