HY5PS561621BFP-25,HY5PS561621BFP-25 pdf中文资料,HY5PS561621BFP-25引脚图,HY5PS561621BFP-25电路-Datasheet-电子工程世界

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HY5PS561621BFP-25: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小999KB，共78页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5PS561621BFP-25概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84

HY5PS561621BFP-25规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.1 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	8 mm

HY5PS561621BFP-25相似产品对比

	HY5PS561621BFP-25	HY5PS561621BFP-2	HY5PS561621BFP-22	HY5PS561621BFP-2L	HY5PS561621BFP-28	HY5PS561621BFP-16
描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.25ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84	84	84	84	84	84
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.3 ns	0.35 ns	0.3 ns	0.45 ns	0.25 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	500 MHz	454 MHz	500 MHz	357 MHz	625 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	84	84	84	84	84
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	2 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.22 mA	0.26 mA	0.24 mA	0.26 mA	0.21 mA	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.1 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.9 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.9 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	2 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	260	-
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20	20	-

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