MGFC42V6472A-01,MGFC42V6472A-01 pdf中文资料,MGFC42V6472A-01引脚图,MGFC42V6472A-01电路-Datasheet-电子工程世界

MGFC42V6472A-01: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小81KB，共2页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MGFC42V6472A-01概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	15 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	93.7 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

	MGFC42V6472A-01	MGFC42V6472A-51
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	15 A	15 A
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION
最高频带	C BAND	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	93.7 W	93.7 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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