Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Diodes |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 17 weeks |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 60 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0055 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
DMN3009LFV-13 | DMN3009LFV-7 | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Diodes | Diodes |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 17 weeks | 17 weeks |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 60 A | 60 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0055 Ω | 0.0055 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-F5 | S-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 5 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved