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DMN3009LFV-13

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小351KB,共7页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMN3009LFV-13在线购买

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DMN3009LFV-13概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

DMN3009LFV-13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.0055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

DMN3009LFV-13相似产品对比

DMN3009LFV-13 DMN3009LFV-7
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Small Signal Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Diodes Diodes
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks 17 weeks
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 60 A 60 A
最大漏源导通电阻 0.0055 Ω 0.0055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-PDSO-F5 S-PDSO-F5
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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