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SST29EE512-90-4C-NH

产品描述EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32
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文件大小306KB,共26页
制造商Silicon Laboratories Inc
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SST29EE512-90-4C-NH概述

EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32

SST29EE512-90-4C-NH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间90 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
切换位YES
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

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