ADC, Flash Method, 6-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, CQCC20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最大模拟输入电压 | 5.5 V |
| 最小模拟输入电压 | -0.5 V |
| 最长转换时间 | 0.067 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.7812% |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 6 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样速率 | 15 MHz |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大压摆率 | 25 mA |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| CA3306J3 | CA3306CD | CA3306E | CA3306M | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | ADC, Flash Method, 6-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, CQCC20 | ADC, Flash Method, 6-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, CDIP18 | ADC, Flash Method, 6-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, PDIP18 | ADC, Flash Method, 6-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, Word Access, CMOS, PDSO20 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris | Harris | Harris | Harris |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | SOP, SOP20,.4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | EAR99 | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小模拟输入电压 | -0.5 V | -0.5 V | -0.5 V | -0.5 V |
| 最长转换时间 | 0.067 µs | 0.067 µs | 0.067 µs | 0.067 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-CDIP-T18 | R-PDIP-T18 | R-PDSO-G20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.7812% | 0.7812% | 0.7812% | 0.7812% |
| 模拟输入通道数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 位数 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 18 | 18 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
| 输出位码 | BINARY | BINARY | BINARY | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD | PARALLEL, WORD |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP18,.3 | DIP18,.3 | SOP20,.4 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 采样速率 | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz | 15 MHz |
| 最大压摆率 | 25 mA | 20 mA | 25 mA | 25 mA |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
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