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2SC5850

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CMPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC5850概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CMPAK-3

2SC5850规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SC5850相似产品对比

2SC5850 2SC5850C 2SC5850B 2SC5850D
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CMPAK-3 Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 SINGLE Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 100 160 100 250
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) - 0.15 W 0.15 W 0.15 W
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