NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschluß, geeignet bis 125
°C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 43
BPX 43-2/3
BPX 43-3
BPX 43-3/4
BPX 43-4
BPX 43-4/5
BPX 43-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P16
Q62702-P3580
Q62702-P16-S3
Q62702-P3581
Q62702-P16-S4
Q62702-P3582
Q 62702-P16-S5
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
• High linearity
• Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125
°C
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2001-02-21
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BPX 43
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 125
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
50
200
7
220
450
V
mA
mA
V
mW
K/W
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BPX 43
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
880
450 … 1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
0.675
1
×
1
2.4 … 3.0
±
15
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
11
35
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
23
39
47
20 (≤ 300)
pF
pF
pF
nA
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BPX 43
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
-2
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Wert
Value
-3
-4
-5
Einheit
Unit
0.8 … 1.6 1.25 … 2.5 2.0 … 4.0
≥
3.2 mA
3.8
6.0
9.5
15.0 mA
9
12
15
18
ms
t
r
,
t
f
V
CEsat
200
220
240
260
mV
I
PCE
-----------
-
I
PCB
110
170
270
430
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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BPX 43
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark Current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
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