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BB811E6327

产品描述Variable Capacitance Diode, L Band, 8.8pF C(T), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB,共2页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BB811E6327概述

Variable Capacitance Diode, L Band, 8.8pF C(T), Silicon

BB811E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小二极管电容比7.8
标称二极管电容8.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

BB811E6327相似产品对比

BB811E6327 BB811E6433
描述 Variable Capacitance Diode, L Band, 8.8pF C(T), Silicon Variable Capacitance Diode, L Band, 8.8pF C(T), Silicon
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小二极管电容比 7.8 7.8
标称二极管电容 8.8 pF 8.8 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

 
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