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BSV65RB

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小257KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BSV65RB概述

Transistor

BSV65RB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)280 MHz
最大关闭时间(toff)40 ns
最大开启时间(吨)20 ns
VCEsat-Max0.3 V

BSV65RB相似产品对比

BSV65RB BSV65RA BSV65R BSV65A BSV65
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown not_compliant
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
配置 SINGLE Single Single Single SINGLE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.15 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 280 MHz 280 MHz 280 MHz 280 MHz 280 MHz
最小直流电流增益 (hFE) 75 40 40 40 -
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches - 1 1 1 -

 
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