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Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> CD4081BFBH
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CD4081BFBH

产品描述CD4081BFBH
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小595KB，共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CD4081BFBH概述

CD4081BFBH

CD4081BFBH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容（CL）50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I（ol）0.00036 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup338 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V

CD4081BFBH相似产品对比

CD4081BFBH CD4073BFBH CD4081BFSR CD4081BFBR CD4073BFBR CD4081BQSH CD4081BQSR CD4082BFBR
描述 CD4081BFBH CD4073BFBH CD4081BFSR CD4081BFBR CD4073BFBR CD4081BQSH CD4081BQSR CD4082BFBR
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant _compli _compli _compli
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 R-XDFP-F14 R-XDFP-F14 R-XDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容（CL） 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE
最大I（ol） 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A 0.00036 A
端子数量 14 14 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DFP DFP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 DIP14,.3 FL14,.3 FL14,.3 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK IN-LINE
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO NO NO NO
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535V;38534K;883S 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B
表面贴装 NO NO NO NO NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
Prop。Delay @ Nom-Sup 338 ns 338 ns 338 ns 338 ns 338 ns - - -

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