MT57V2MH18EF-6,MT57V2MH18EF-6 pdf中文资料,MT57V2MH18EF-6引脚图,MT57V2MH18EF-6电路-Datasheet-电子工程世界

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MT57V2MH18EF-6: 产品描述DDR SRAM, 2MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小321KB，共24页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT57V2MH18EF-6概述

DDR SRAM, 2MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

MT57V2MH18EF-6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	15 mm

MT57V2MH18EF-6相似产品对比

	MT57V2MH18EF-6	MT57V2MH18EF-5	MT57V2MH18EF-7.5	MT57V1MH36EF-7.5
描述	DDR SRAM, 2MX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	DDR SRAM, 2MX18, 2.4ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	DDR SRAM, 2MX18, 3.6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	DDR SRAM, 1MX36, 3.6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA,	TBGA,	TBGA,	TBGA,
针数	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns	2.4 ns	3.6 ns	3.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bi
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	18	18	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	1048576 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX18	2MX18	2MX18	1MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
厂商名称	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology

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