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TPD4E002DRL2

产品描述Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小896KB,共18页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到20个与TPD4E002DRL2功能相似器件
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TPD4E002DRL2概述

Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85

TPD4E002DRL2规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明PACKAGE-5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Confidence
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID607614
Samacsys Pin Count5
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameSOT50P160X60-5N
Samacsys Released Date2017-01-12 12:59:53
Is SamacsysN
最大击穿电压7.2 V
最小击穿电压6.1 V
击穿电压标称值6.65 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-N5
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量5
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

TPD4E002DRL2相似产品对比

TPD4E002DRL2 TPD4E002DRLR TPD4E002DRLRG4
描述 Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85 Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85 Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 PACKAGE-5 PACKAGE-5 R-PDSO-F5
针数 5 5 5
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大击穿电压 7.2 V 7.2 V 7.2 V
最小击穿电压 6.1 V 6.1 V 6.1 V
配置 COMMON ANODE, 4 ELEMENTS COMMON ANODE, 4 ELEMENTS COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-N5 R-PDSO-N5 R-PDSO-F5
JESD-609代码 e4 e4 e4
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 4 4 4
端子数量 5 5 5
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 5 V 5 V 6.7 V
表面贴装 YES YES YES
技术 ZENER ZENER ZENER
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
是否无铅 不含铅 不含铅 -
Factory Lead Time 6 weeks 1 week -
Samacsys Status Released Released -
Samacsys PartID 607614 182715 -
Samacsys Pin Count 5 5 -
Samacsys Part Category Integrated Circuit Integrated Circuit -
Samacsys Package Category Other SO Transistor Flat Lead -
Samacsys Footprint Name SOT50P160X60-5N SN74LVC1G04DRLR -
Samacsys Released Date 2017-01-12 12:59:53 2017-01-12 12:59:53 -
Is Samacsys N N -
Base Number Matches 1 1 -

与TPD4E002DRL2功能相似器件

器件名 厂商 描述
TPD4E002DRLR Texas Instruments(德州仪器) Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85
TPD4E002DRLRG4 Texas Instruments(德州仪器) Quad Low-Capacitance Array With +/-15-kV ESD Protection 5-SOT-5X3 -40 to 85
CM1263-02SE ON Semiconductor(安森美) Low Capacitance ESD Protection Array for High-Speed Serial Interfaces, SOT-553, 5 LEAD, 5000-REEL
TPD4E004DRYRG4 Texas Instruments(德州仪器) 4-Channel ESD Protection Array for High-Speed Data Interfaces 6-SON -40 to 85
USBLC6-2P6 ST(意法半导体) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A 箝位电压:17V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5.25V 二极管阵列 TVS USB2 二极管类型: 单向TVS 钳位电压 最大: 17V 二极管封装形式: SOT-666 针脚数: 6 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) SMD标号: F TVS 极性: 单向 二极管配置: 单向 击穿电压: 6V 击穿电压 最小: 6V 击穿电压范围: 6V 反向漏电流, 最大: 1μA 器件标记: USBLC6-2P6 封装/箱盒: SOT-666 峰值脉冲电压: 15kV 峰值脉冲电流: 5A 工作温度最小值: -55°C 工作温度最高值: 150°C 截止电压: 5V 最高击穿电压: 6V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cj: 3.5pF 表面安装器件: SMD 钳位电压, 8/20us 最大: 17V
RCLAMP0502A.TCT SEMTECH 箝位电压:18V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 5V,3A,Cj=0.9pF
RCLAMP0504S.TCT SEMTECH 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):6A (8/20us) 箝位电压:25V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V TVS阵列
TPD4E004DRYR Texas Instruments(德州仪器) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5.5V (Max) TVSDIODE6SON
USBULC6-2M6 ST(意法半导体)
NUP4114UPXV6T1G ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):8A (8/20us) 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):5.5V 反向关断电压(典型值):5.5V (Max)
CM1213A-04SO ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A (8/20us) 箝位电压:10V (Typ) 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):3.3V
RCLAMP0504FATCT SEMTECH 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):6A (8/20us) 箝位电压:25V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V TVS阵列
RCLAMP0522P.TCT SEMTECH 极性:Unidirectional 箝位电压:15V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 5V,5A,Cj=0.8pF
DSILC6-4P6 ST(意法半导体) ESD Suppressors / TVS Diodes ESD Protection
CM1213A-04S7 ON Semiconductor(安森美) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):1A (8/20us) 箝位电压:10V (Typ) 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):3.3V
RCLAMP1654P.TCT SEMTECH 100 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
CM1213A-02SO ON Semiconductor(安森美) 极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):1A (8/20us) 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):3.3V
RCLAMP0503N.TCT SEMTECH ESD Suppressors / TVS Diodes Low Capacitance TVS Diode Array
CDDFN6-0504P Bourns ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Diode Array 5VOLT
RCLAMP0522T.TCT SEMTECH TVS DIODE 5V 15V SLP1610P4T

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