电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SN74ABT7820-20PH

产品描述FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory
产品类别存储    存储   
文件大小195KB,共15页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

SN74ABT7820-20PH在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SN74ABT7820-20PH - - 点击查看 点击购买

SN74ABT7820-20PH概述

FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory

SN74ABT7820-20PH规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFP
包装说明QFP, QFP80,.7X.9,32
针数80
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最长访问时间13.5 ns
其他特性BYPASS XCVR
最大时钟频率 (fCLK)50 MHz
周期时间20 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e4
长度14 mm
内存密度9216 bi
内存集成电路类型BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量80
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP80,.7X.9,32
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.1 mm
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

SN74ABT7820-20PH相似产品对比

SN74ABT7820-20PH SN74ABT7820-15PH SN74ABT7820-30PH SN74ABT7820-30PN
描述 FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory 512 x 18 x 2 bidirectional asynchronous FIFO memory FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory FIFO 512 x 18 x 2 bidir ASynch FIFO Memory
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 QFP, QFP80,.7X.9,32 PLASTIC, QFP-80 QFP, QFP80,.7X.9,32 LFQFP, QFP80,.55SQ,20
针数 80 80 80 80
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week 1 week
最长访问时间 13.5 ns 12 ns 17 ns 17 ns
其他特性 BYPASS XCVR BYPASS XCVR BYPASS XCVR BYPASS XCVR
最大时钟频率 (fCLK) 50 MHz 67 MHz 33.3 MHz 33.3 MHz
周期时间 20 ns 15 ns 30 ns 30 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
长度 14 mm 14 mm 14 mm 12 mm
内存密度 9216 bi 9216 bi 9216 bi 9216 bi
内存集成电路类型 BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端子数量 80 80 80 80
字数 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512X18 512X18 512X18 512X18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP QFP QFP LFQFP
封装等效代码 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.55SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.1 mm 3.1 mm 3.1 mm 1.6 mm
最大压摆率 0.095 mA 0.095 mA 0.095 mA 0.095 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 12 mm
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 364  657  2108  554  2774  33  15  47  9  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved