DRAM Module, 1MX9, 120ns, MIXMOS, SIMM-30
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Advanced Electronic Packaging |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | NIBBLE |
最长访问时间 | 120 ns |
JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 |
内存密度 | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 30 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 1MX9 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | MIXMOS |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
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