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JANS2N2857: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小216KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4

	JANS2N2857
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN-4
是否无铅	含铅
Objectid	1813438898
零件包装代码	TO-72
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.04 A
基于收集器的最大容量	1 pF
集电极-发射极最大电压	15 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-72
JESD-30 代码	O-MBCY-W4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/343
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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