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HSMS-2855#L30

产品描述Mixer Diode, Zero Barrier, Ultra High Frequency to C Band, Silicon, SO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共6页
制造商Hewlett Packard Co
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HSMS-2855#L30概述

Mixer Diode, Zero Barrier, Ultra High Frequency to C Band, Silicon, SO-4

HSMS-2855#L30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hewlett Packard Co
零件包装代码SOD
包装说明SO-4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY TO C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量4
最大工作频率5.8 GHz
最小工作频率0.915 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.075 W
脉冲输入最大功率0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
最小正切信号灵敏度55 dBm
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型ZERO BARRIER

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