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BDB02B

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-226AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共2页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BDB02B概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-226AE

BDB02B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)50 MHz
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