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BD841

产品描述TRANSISTOR 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BD841概述

TRANSISTOR 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power

BD841规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-202
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
VCEsat-Max0.8 V

BD841相似产品对比

BD841 BD843
描述 TRANSISTOR 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202, BIP General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JEDEC-95代码 TO-202 TO-202
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 10 W 10 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz
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