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IRKTF200-10DP

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小47KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRKTF200-10DP概述

Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element

IRKTF200-10DP规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PXFM-X7
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FAST
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间18 µs
配置SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
快速连接描述2G-2GR
螺丝端子的描述A-K-AK
最大维持电流600 mA
JESD-30 代码R-PXFM-X7
JESD-609代码e0
最大漏电流30 mA
通态非重复峰值电流8000 A
元件数量2
端子数量7
最大通态电流200000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流314 A
重复峰值关态漏电流最大值30000 µA
断态重复峰值电压1000 V
重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
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