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71V321S55JI

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52
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文件大小134KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V321S55JI概述

Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52

71V321S55JI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端口数量2
端子数量52
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.115 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30

 
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