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CSD22204W

产品描述CSD22204W 8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 9-DSBGA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小468KB,共12页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CSD22204W概述

CSD22204W 8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 9-DSBGA

CSD22204W规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明1.50 X 1.50 MM, GREEN, DSBGA-9
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)265 pF
JESD-30 代码S-XBGA-B9
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量9
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

CSD22204W相似产品对比

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描述 CSD22204W 8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 9-DSBGA CSD22204W 8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 9-DSBGA
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 1.50 X 1.50 MM, GREEN, DSBGA-9 1.50 X 1.50 MM, GREEN, DSBGA-9
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 8 V 8 V
最大漏极电流 (ID) 5 A 5 A
最大漏源导通电阻 0.014 Ω 0.014 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 265 pF 265 pF
JESD-30 代码 S-XBGA-B9 S-XBGA-B9
JESD-609代码 e1 e1
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 9 9
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A 80 A
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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