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IDT70V25TS35J8

产品描述Multi-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84
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文件大小380KB,共25页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V25TS35J8概述

Multi-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQCC84

IDT70V25TS35J8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e0
内存密度131072 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
端口数量2
端子数量84
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30

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HIGH-SPEED 3.3V
8/4K x 18 DUAL-PORT
8/4K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
IDT70V35/34S/L
IDT70V25/24S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
IDT70V35/34
– Commercial: 15/20/25ns (max.)
– Industrial: 20ns
IDT70V25/24
– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)
– Industrial: 20/25ns
Low-power operation
– IDT70V35/34S
– IDT70V35/34L
Active: 430mW (typ.)
Active: 415mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
Standby: 660
µ
W (typ.)
– IDT70V25/24S
Active: 400mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V25/24L
Active: 380mW (typ.)
Standby: 660
µ
W (typ.)
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
IDT70V35/34 (IDT70V25/24) easily expands data bus width
to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave select
when cascading more than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
BUSY
and Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in a 100-pin TQFP (IDT70V35/24) & (IDT70V25/24),
86-pin PGA (IDT70V25/24) and 84-pin PLCC (IDT70V25/24)
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
R/W
L
UB
L
R/W
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
,
I/O
9L
-I/O
17L
(5)
I/O
Control
I/O
0L
-I/O
8L
(4)
BUSY
L
(2,3)
I/O
9R
-I/O
17R
(5)
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
8R
(4)
BUSY
R
(2,3)
Address
Decoder
13
A
12L
(1)
A
0L
MEMORY
ARRAY
13
Address
Decoder
A
12R
(1)
A
0R
CE
L
OE
L
R/W
L
SEM
L
INT
L
(3)
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
SEM
R
INT
R
(3)
5624 drw 01
M/S
NOTES:
1. A
12
is a NC for IDT70V34 and for IDT70V24.
2. (MASTER):
BUSY
is output; (SLAVE):
BUSY
is input.
3.
BUSY
outputs and
INT
outputs are non-tri-stated push-pull.
4. I/O
0
x - I/O
7
x for IDT70V25/24.
5. I/O
8
x - I/O
15
x for IDT70V25/24.
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