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IBM11M1645B-70J: 产品描述EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168; 产品类别存储存储; 文件大小316KB，共29页; 制造商IBM; 官网地址http://www.ibm.com

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IBM11M1645B-70J概述

EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168

	IBM11M1645B-70J	IBM11M1645B-60J
描述	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
厂商名称	IBM	IBM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168
内存密度	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64
端子数量	168	168
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	1MX64	1MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.016 A	0.016 A
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ