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TSB1132CYR

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TSB1132CYR概述

Transistor

TSB1132CYR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

TSB1132CYR文档预览

TSB1132
Low Frequency PNP Transistor
Pin assignment:
1. Base
2. Collector
3. Emitter
BV
CEO
= - 32V
Ic = - 1A
V
CE (SAT)
, =- 0.15V(typ.) @Ic / Ib =- 0.5A /- 50mA
Features
Low V
CE (SAT).
Excellent DC current gain characteristics
Ordering Information
Part No.
TSB1132CY
Packing
Tape & Reel
Package
SOT-89
Marking
BK
Structure
Epitaxial planar type.
PNP silicon transistor
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C
unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note: 1. Single pulse, Pw = 10mS, Duty <= 50%
2. When mounted on a 40 x 40 x 0.7mm ceramic board
DC
Pulse
SOT-89
P
D
T
J
T
STG
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limit
- 40V
- 32V
-5
-1
- 2.5 (note 1)
0.6
2 (note 2)
+150
- 55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
o
o
C
C
Electrical Characteristics
Ta = 25
o
C unless otherwise noted
Parameter
Static
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
Conditions
I
C
= - 50uA, I
E
= 0
I
C
= - 1mA, I
B
= 0
I
E
= - 50uA, I
C
= 0
V
CB
= - 20V, I
E
= 0
V
EB
= - 4V, I
C
= 0
I
C
/ I
B
= - 500mA / - 50mA
V
CE
= - 3V, I
C
= - 0.1A
V
CE
= - 5V, I
C
= - 50mA,
f = 100MHz
V
CB
= - 10V, f=1MHz
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
h
FE
f
T
Cob
Min
- 40
- 32
-5
Typ
Max
Unit
V
V
V
- 0.5
-0.5
- 0.15
82
150
20
30
- 0.5
390
uA
uA
V
MHz
pF
Note : pulse test: pulse width <=380uS, duty cycle <=2%
Classification Of h
FE
Rank
Range
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
TSB1132
1-1
2003/12 rev. B
Electrical Characteristics Curve
TSB1132
2-2
2003/12 rev. B
SOT-89 Mechanical Drawing
A
B
I
DIM
A
B
C
D
E
F
J
H
G
C
SOT-89 DIMENSION
MILLIMETERS
INCHES
MIN
MAX
MIN
MAX
4.40
4.60
0.173
0.181
1.50
1.7
0.059
0.070
2.30
2.60
0.090
0.102
0.40
0.52
0.016
0.020
1.50
1.50
0.059
0.059
3.00
3.00
0.118
0.118
0.89
4.05
1.4
0.35
1.20
4.25
1.6
0.44
0.035
0.159
0.055
0.014
0.047
0.167
0.068
0.017
E
D
G
H
I
J
F
TSB1132
3-3
2003/12 rev. B

TSB1132CYR相似产品对比

TSB1132CYR TSB1132CYP TSB1132CYQ
描述 Transistor Transistor Transistor
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
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