32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C-01 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 90 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 24 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 32 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.00517 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 78.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 96 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NTD4404NT4 | NTD4404N | NTD4404N1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 32A, 24V, 0.00517ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 | TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3, FET General Purpose Power | TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | CASE 369C-01, DPAK-3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C-01 | CASE 369C-01 | CASE 369D-01 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 90 mJ | 90 mJ | 90 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 24 V | 24 V | 24 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 32 A | 32 A | 32 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.00517 Ω | 0.00517 Ω | 0.00517 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 78.1 W | 78.1 W | 78.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 96 A | 96 A | 96 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
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