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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MG50N2YK1
PDF数据手册

MG50N2YK1

产品描述Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小300KB，共3页
制造商IXYS
下载文档 详细参数 全文预览

MG50N2YK1概述

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element,

MG50N2YK1规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)50 A
最小直流电流增益 (hFE)100
最大降落时间（tf）5000 ns
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)350 W
最大上升时间（tr）2000 ns
VCEsat-Max2.5 V

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