Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TBGA, |
| 针数 | 165 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 3.5 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX36 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 13 mm |
| IDT71T67602S166BQ | IDT71T67602S166BG | IDT71T67602S133PF | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FINE PITCH, BGA-165 | Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | Cache SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | QFP |
| 包装说明 | TBGA, | BGA, | LQFP, |
| 针数 | 165 | 119 | 100 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | _compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 3.5 ns | 3.5 ns | 4.2 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 15 mm | 22 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 9437184 bit | 9437184 bit | 9437184 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 165 | 119 | 100 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX36 | 256KX36 | 256KX36 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA | BGA | LQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | GRID ARRAY | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 2.36 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 1 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 |
| 宽度 | 13 mm | 14 mm | 14 mm |
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