ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 6.5 ns |
其他特性 | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大待机电流 | 0.13 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 14 mm |
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