电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IDT70T633S15BFG8

产品描述Multi-Port SRAM, 512KX18, 15ns, CMOS, PBGA208
产品类别存储    存储   
文件大小221KB,共27页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

IDT70T633S15BFG8概述

Multi-Port SRAM, 512KX18, 15ns, CMOS, PBGA208

IDT70T633S15BFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e1
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端口数量2
端子数量208
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.305 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 186  909  934  1257  1650 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved