IoT enabled High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 85
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 具有ADC | YES |
| 地址总线宽度 | 28 |
| 位大小 | 32 |
| 边界扫描 | YES |
| CPU系列 | CORTEX-M4F |
| 最大时钟频率 | 25 MHz |
| DAC 通道 | NO |
| DMA 通道 | YES |
| 外部数据总线宽度 | 32 |
| 格式 | FLOATING POINT |
| 集成缓存 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B212 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 10 mm |
| 低功率模式 | YES |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| DMA 通道数量 | 32 |
| 外部中断装置数量 | |
| I/O 线路数量 | 140 |
| 串行 I/O 数 | 5 |
| 端子数量 | 212 |
| 计时器数量 | 8 |
| 片上数据RAM宽度 | 8 |
| 片上程序ROM宽度 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| PWM 通道 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| RAM（字节） | 262144 |
| RAM（字数） | 256 |
| ROM（单词） | 1048576 |
| ROM可编程性 | FLASH |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 速度 | 120 MHz |
| 最大压摆率 | 133.4 mA |
| 最大供电电压 | 1.32 V |
| 最小供电电压 | 1.14 V |
| 标称供电电压 | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 10 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER, RISC |
| TM4C129ENCZADI3R | TM4C129ENCZADT3 | |
|---|---|---|
| 描述 | IoT enabled High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 85 | IoT enabled High performance 32-bit ARM® Cortex®-M4F based MCU 212-NFBGA -40 to 105 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | VFBGA, | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 8 weeks | 6 weeks |
| 具有ADC | YES | YES |
| 地址总线宽度 | 28 | 28 |
| 位大小 | 32 | 32 |
| 边界扫描 | YES | YES |
| CPU系列 | CORTEX-M4F | CORTEX-M4F |
| 最大时钟频率 | 25 MHz | 25 MHz |
| DAC 通道 | NO | NO |
| DMA 通道 | YES | YES |
| 外部数据总线宽度 | 32 | 32 |
| 格式 | FLOATING POINT | FLOATING POINT |
| 集成缓存 | YES | YES |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B212 | S-PBGA-B212 |
| JESD-609代码 | e1 | e1 |
| 长度 | 10 mm | 10 mm |
| 低功率模式 | YES | YES |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| DMA 通道数量 | 32 | 32 |
| I/O 线路数量 | 140 | 140 |
| 串行 I/O 数 | 5 | 5 |
| 端子数量 | 212 | 212 |
| 计时器数量 | 8 | 8 |
| 片上数据RAM宽度 | 8 | 8 |
| 片上程序ROM宽度 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| PWM 通道 | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| RAM（字节） | 262144 | 262144 |
| RAM（字数） | 256 | 256 |
| ROM（单词） | 1048576 | 1048576 |
| ROM可编程性 | FLASH | FLASH |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
| 速度 | 120 MHz | 120 MHz |
| 最大压摆率 | 133.4 mA | 140 mA |
| 最大供电电压 | 1.32 V | 1.32 V |
| 最小供电电压 | 1.14 V | 1.14 V |
| 标称供电电压 | 1.2 V | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 10 mm | 10 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER, RISC | MICROCONTROLLER, RISC |
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