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INA122PAG4: 产品描述Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小749KB，共14页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到15个与INA122PAG4功能相似器件

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INA122PAG4概述

Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP

INA122PAG4规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.025 µA
标称带宽 (3dB)	0.12 MHz
最小共模抑制比	76 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.005 µA
最大输入失调电压	500 µV
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4
长度	9.81 mm
负供电电压上限	-18 V
最大非线性	0.024%
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.2/36/+-18 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
标称压摆率	0.08 V/us
最大压摆率	0.085 mA
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	10000
最小电压增益	5
标称电压增益	100
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

INA122PAG4相似产品对比

	INA122PAG4	INA122P	INA122PA	INA122U	INA122UA	INA122UAG4	INA122PG4	INA122UE4	INA122UG4
描述	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP -40 to 85	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-SOIC	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-SOIC	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-SOIC	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-PDIP -40 to 85	Single Supply, MicroPower Instrumentation Amplifier 8-SOIC	IC OPAMP INSTR 120KHZ 8SOIC
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	仪表
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	-
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	-	-	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	DIP	SOIC	-
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP-8	DIP, DIP8,.3	SOIC-8	SOIC-8	GREEN, SOIC-8	GREEN, PLASTIC, DIP-8	GREEN, SOIC-8	-
针数	8	8	8	8	8	8	8	8	-
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
Factory Lead Time	6 weeks	1 week	1 week	1 week	1 week	-	-	-	-
最大平均偏置电流 (IIB)	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.05 µA	0.05 µA	0.025 µA	-
标称带宽 (3dB)	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	0.12 MHz	-
最小共模抑制比	76 dB	83 dB	76 dB	83 dB	76 dB	76 dB	76 dB	83 dB	-
最大输入失调电流 (IIO)	0.005 µA	0.002 µA	0.005 µA	0.002 µA	0.005 µA	0.005 µA	-	-	-
最大输入失调电压	500 µV	250 µV	500 µV	250 µV	500 µV	500 µV	-	-	-
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	-
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	-
长度	9.81 mm	9.81 mm	9.81 mm	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	9.81 mm	4.9 mm	-
负供电电压上限	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V	-	-	-
最大非线性	0.024%	0.012%	0.024%	0.012%	0.024%	0.024%	0.024%	0.012%	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	-
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	DIP	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP	DIP	SOP	-
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	DIP8,.3	SOP8,.25	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	-	-	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	260	-
电源	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	2.2/36/+-18 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	5.08 mm	1.75 mm	-
标称压摆率	0.08 V/us	0.08 V/us	0.08 V/us	0.08 V/us	0.08 V/us	0.08 V/us	-	-	-
最大压摆率	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	0.085 mA	-
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	18 V	-	-	-
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	-
表面贴装	NO	NO	NO	YES	YES	YES	NO	YES	-
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大电压增益	10000	10000	10000	10000	10000	10000	10000	10000	-
最小电压增益	5	5	5	5	5	5	5	5	-
标称电压增益	100	100	100	100	100	100	100	100	-
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-

与INA122PAG4功能相似器件

器件名	厂商	描述
INA111BUE4	Texas Instruments(德州仪器)	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC
INA129U/2K5	Texas Instruments(德州仪器)	增益带宽积（GBP）：1.3MHz(-3dB) 放大器组数：1 运放类型：Instrumentation 各通道功耗：- 压摆率（SR）：4 V/us 电源电压：4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V 精密低功耗仪器放大器
INA111BU	Texas Instruments(德州仪器)	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC
AMP02FS	Rochester Electronics	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 350 uV OFFSET-MAX, 1.2 MHz BAND WIDTH, PDSO16, MS-013AA, SOIC-16
INA114AU/1K	Texas Instruments(德州仪器)	Precision Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85
INA129UA/2K5	Texas Instruments(德州仪器)	增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：1 运放类型：Instrumentation 各通道功耗：700uA 压摆率（SR）：4 V/us 电源电压：4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V
INA111AU/1K	Texas Instruments(德州仪器)	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85
INA114BU/1K	Texas Instruments(德州仪器)	INST Amp Single ±18V 16-Pin SOIC T/R
INA111AUE4	Texas Instruments(德州仪器)	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85
INA129U	Texas Instruments(德州仪器)	Precision, Low Power Instrumentation Amplifiers 8-SOIC
INA118PB	Texas Instruments(德州仪器)	Precision, Low Power Instrumentation Amplifier 8-PDIP
INA114AUE4	Texas Instruments(德州仪器)	Precision Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85
INA129UA	Texas Instruments(德州仪器)	Precision, Low Power Instrumentation Amplifiers 8-SOIC -40 to 125
INA111AU/1KG4	Texas Instruments(德州仪器)	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85
AD627BR	Rochester Electronics	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 190 uV OFFSET-MAX, 0.08 MHz BAND WIDTH, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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