Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SEMIKRON |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-D17 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 17 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1800 W |
最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 200 ns |
标称接通时间 (ton) | 50 ns |
VCEsat-Max | 3.8 V |
SKM40GD121D | SKM40GD101D | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel |
厂商名称 | SEMIKRON | SEMIKRON |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 40 A | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1000 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-D17 | R-PUFM-D17 |
元件数量 | 6 | 6 |
端子数量 | 17 | 17 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1800 W | 1800 W |
最大功率耗散 (Abs) | 300 W | 300 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | SOLDER LUG | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 200 ns | 200 ns |
标称接通时间 (ton) | 50 ns | 50 ns |
VCEsat-Max | 3.8 V | 3.8 V |
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