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SKM40GD121D

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小301KB,共8页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM40GD121D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

SKM40GD121D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-D17
元件数量6
端子数量17
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1800 W
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)200 ns
标称接通时间 (ton)50 ns
VCEsat-Max3.8 V

SKM40GD121D相似产品对比

SKM40GD121D SKM40GD101D
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1000 V
配置 BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 6.5 V 6.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-D17 R-PUFM-D17
元件数量 6 6
端子数量 17 17
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1800 W 1800 W
最大功率耗散 (Abs) 300 W 300 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 200 ns 200 ns
标称接通时间 (ton) 50 ns 50 ns
VCEsat-Max 3.8 V 3.8 V
jlink烧写nandflash出现这个错误,怎么回事啊?
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