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HUF76107P3

产品描述20A, 30V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小367KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF76107P3概述

20A, 30V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

HUF76107P3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)45 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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