电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HUF76137P3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小311KB,共10页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HUF76137P3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
HUF76137P3 - - 点击查看 点击购买

HUF76137P3概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

HUF76137P3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

HUF76137P3相似产品对比

HUF76137P3 HUF76137S3ST
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0125 Ω 0.0125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
模电没学好,对三极管作为开关管电路一窍不通
请问当电源电压为9V时,NPN型三极管2N2714导通,怎么分配R1,R2,R3电阻阻值?这三个电阻等效阻值为170Ω,就这么个条件?三极管这边真的一团糟,没学好?附上2N2714datasheet,很多参数也不懂?Vbeo意思是基极和发射极之间导通电压5V?这个电路哪边是基极电阻?是不是基极电流先要通过放大倍数和集电极电流计算?...
西里古1992 模拟电子
zigbee模块的最低功耗可以做到多少?
此内容由EEWORLD论坛网友飞鸿踏雪原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处1.zigbee模块最小功耗可以做到多少?常用的品牌有哪些?会非常感谢各界人士的解答!...
飞鸿踏雪 RF/无线
使用MSP430F5529制作的ADC用来做电压测量装置
[font=Tahoma, Helvetica, SimSun, sans-serif][size=4]使用MSP430F5529制作的ADC用来做电压测量装置[/size][/font][size=4][/size][size=4][/size]...
fish001 微控制器 MCU
PB帮助文档内关于2D硬件加速部分的一处说明
小弟现在正在做WINCE5.0显示驱动2D硬件加速部分的开发,对PB帮助文档内的一处说明不太理解,即---Display Driver Extensions---Display Driver Recommendations的最后几行:The following list shows the display hardware that can accelerate operations, in or...
ccec 嵌入式系统
晒一下今天新唐研讨会的NuEdu-SDK-M451开发板
今天的新唐研讨会,赠送的是NuEdu-SDK-M451开发板。这是一个Cotex-M4内核的开发板。开发板的外形和LED板和NuEdu-SDK-Nano130差不多,还少了LCD板。牛桥成为了标配,它做工明显比以前好多了。美中不足的是盒子破了。...
dcexpert 单片机
招聘开发工程师
招聘:我朋友公司招聘MSP430开发工程师,地点浙江省宁波市,年薪10万,请有能力且有意向者与我联系,手机:13587005896, 郑工。...
lambzheng 求职招聘

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 127  810  1052  1368  1564 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved