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ASI10513

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10513概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

ASI10513规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)5 A
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度250 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

ASI10513文档预览

ALR060
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .310 2L FLG
DESCRIPTION:
The
ASI ALR060
is Designed for
4x .062 x 45°
2xB
D
G
ØE
F
A
.040 x 45°
C
FEATURES:
Input Matching Network
Omnigold™
Metalization System
M
H
I
J
K
L
R
N
DIM
A
B
MINIMUM
inches / mm
P
MAXIMUM
inches / mm
.095 / 2.41
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.286 / 7.26
.110 / 2.79
.306 / 7.77
.148 / 3.76
.400 / 10.16
.119 / 3.02
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.300 / 7.62
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.105 / 2.67
.120 / 3.05
.306 / 7.77
.130 / 3.30
.318 / 8.08
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
C
D
E
F
G
H
I
5.0 A
32 V
107 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +250 C
-65 C to +200 C
1.4 C/W
O
O
O
O
J
K
L
M
N
P
R
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.320 / 8.13
.006 / 0.15
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
ORDER CODE: ASI10513
O
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 20 mA
I
C
= 40 mA
I
E
= 2 mA
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 C
NONETEST
CONDITIONS
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
55
55
3.5
10
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 28 V
I
C
= 2.0 A
P
OUT
= 60 W
f = 1.2 to 1.4 GHz
15
6.5
50
150
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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