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ASI10466

产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10466概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 4 Pin,

ASI10466规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压55 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码O-CRFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON

ASI10466文档预览

HF220-50F
NPN RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI HF220-50F
is a Common
Emitter Device Designed for SSB
Transmitter Applications in the 2 to
30 MHz Band.
FEATURES INCLUDE:
P
G
= 13 dB min. @ 30 MHz
Gold Metallization
Emitter Ballasting
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
12 A
110 V
320 W @ T
C
= 25
O
C
-55 to +200
O
C
-55 to +150
O
C
0.55
O
C/W
1 = COLLECTOR
2 = BASE
3 & 4 = EMITTER
ORDER CODE: ASI10466
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
I
C
= 200 mA
I
C
= 200 mA
I
E
= 20 mA
V
CE
= 50 V
V
CE
= 10 V
V
CB
= 50 V
MHz
V
CE
= 50 V
I
CQ
= 150 mA
P
OUT
= 220 W
(PEP)
I
C
= 10 A
f = 1.0
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
110
55
4.0
10
10
330
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
P
G
IMD
3
η
C
f = 30 MHz
13
-30
40
dB
dBc
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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