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ALR325

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FLG(A), 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ALR325概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FLG(A), 2 PIN

ALR325规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码LGA
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)18.75 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度250 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)730 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
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