HB56TW433D-6A概述

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72

HB56TW433D-6A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DMA
包装说明	,
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	R-XDMA-N72
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

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	HB56TW433D-6A	HB56TW433D-7AL	HB56TW433D-7A	HB56TW433D-8A	HB56TW433D-6AL	HB56TW433D-8AL
描述	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SODIMM-72	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, SODIMM-72	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SODIMM-72	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, SODIMM-72
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
针数	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	70 ns	70 ns	80 ns	60 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16	16	16	16	16	16
JESD-30 代码	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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