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CSD18540Q5BT

产品描述60V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET 8-VSON-CLIP -55 to 150
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1005KB,共15页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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CSD18540Q5BT概述

60V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET 8-VSON-CLIP -55 to 150

CSD18540Q5BT规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明VSON-8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID702426
Samacsys Pin Cou9
Samacsys Part CategoryIntegrated Circui
Samacsys Package CategoryOthe
Samacsys Footprint NameCSD18540Q5BT-2
Samacsys Released Date2020-04-02 16:39:56
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)320 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)28 A
最大漏源导通电阻0.0033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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