K8D6316UBM-TC070,K8D6316UBM-TC070 pdf中文资料,K8D6316UBM-TC070引脚图,K8D6316UBM-TC070电路-Datasheet-电子工程世界

K8D6316UBM-TC070: 产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共48页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K8D6316UBM-TC070概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA48,6X8,32
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	70 ns
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	8,127
端子数量	48
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3/3.3 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1 mm
部门规模	8K,64K
最大待机电流	0.00003 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	6 mm

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