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KFG2816Q1M-DEB00

产品描述Flash, 8MX16, 76ns, PBGA67, 7 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-67
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文件大小1MB,共88页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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KFG2816Q1M-DEB00概述

Flash, 8MX16, 76ns, PBGA67, 7 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-67

KFG2816Q1M-DEB00规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA67,8X10,32
针数67
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间76 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B67
JESD-609代码e1
长度9 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模256
端子数量67
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA67,8X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模32K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位NO
宽度7 mm

KFG2816Q1M-DEB00相似产品对比

KFG2816Q1M-DEB00 KFG2816Q1M-PEB00
描述 Flash, 8MX16, 76ns, PBGA67, 7 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-67 Flash, 8MX16, 76ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA TSOP1
包装说明 VFBGA, BGA67,8X10,32 TSOP1,
针数 67 48
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 76 ns 76 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
JESD-30 代码 R-PBGA-B67 R-PDSO-G48
长度 9 mm 18.4 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 67 48
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C
组织 8MX16 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA TSOP1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
编程电压 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM DUAL
宽度 7 mm 12 mm
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