Flash, 8MX16, 76ns, PBGA67, 7 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-67
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, BGA67,8X10,32 |
针数 | 67 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 76 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B67 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 9 mm |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 256 |
端子数量 | 67 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C |
组织 | 8MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA67,8X10,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 512 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1 mm |
部门规模 | 32K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
切换位 | NO |
宽度 | 7 mm |
KFG2816Q1M-DEB00 | KFG2816Q1M-PEB00 | |
---|---|---|
描述 | Flash, 8MX16, 76ns, PBGA67, 7 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-67 | Flash, 8MX16, 76ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA | TSOP1 |
包装说明 | VFBGA, BGA67,8X10,32 | TSOP1, |
针数 | 67 | 48 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 76 ns | 76 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE | SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B67 | R-PDSO-G48 |
长度 | 9 mm | 18.4 mm |
内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 67 | 48 |
字数 | 8388608 words | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -30 °C | -30 °C |
组织 | 8MX16 | 8MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | TSOP1 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
编程电压 | 1.8 V | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER |
端子形式 | BALL | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL |
宽度 | 7 mm | 12 mm |
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