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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1106(TE85R)
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RN1106(TE85R)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小562KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1106(TE85R)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1106(TE85R)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1101∼RN1106
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101, RN1102, RN1103,
RN1104, RN1105, RN1106
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2101~ RN2106
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101~1106
RN1101~1106
RN1101~1104
RN1105, 1106
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55~150
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4 mg (typ).
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2007-11-01

RN1106(TE85R)相似产品对比

RN1106(TE85R) RN1106(TE85L) RN1106ACT RN1101(TE85L) RN1101(TE85R)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.08 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 80 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-XBCC-N3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING NO LEAD GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 250 MHz 250 MHz

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