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MT4JTF6464HIY-80BXX

产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-204
产品类别存储    存储   
文件大小211KB,共12页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT4JTF6464HIY-80BXX概述

DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, LEAD FREE, SODIMM-204

MT4JTF6464HIY-80BXX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数204
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N204
JESD-609代码e4
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30
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